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Transphorm公布季度营收,同比增长14%

受政府合同收入的推动,2024财年第一季度(至2023年6月底),Transphorm季度收入同比增长14%,达到590万美元。

该公司实现了产能的持续增长,其在日本的外延片业务每月的外延片产量创下历史新高,并在GlobalWafer的外延片运营中释放了两个额外的产线用于工艺开发。


(资料图片)

毛利率为36%,高于上季度的5%,超过了预期的30-34%。

在非公认会计原则的基础上,运营费用为683万美元,高于一年前的543万美元但低于上季度的755万美元。

净亏损为450万美元(每股0.08美元),比一年前的423万美元(每桶0.08美元)有所增加,但比上季度的724万美元有所减少,超过了预期的每股0.10至0.13美元的亏损。

本季度,现金、现金等价物和限制性现金减少了1270万美元,从1600万美元降至330万美元。但这主要是由于Transphorm在4月份全额偿还了其从Nexperia获得的1200万美元贷款(并结束了其在电动汽车领域对Nexperia的独家经营权)。

此外,这还不包括7月底完成的配股总收益794万美元(净额760万美元)。该公司表示:“我们现在开始对Transphorm进行之前宣布的战略审查,目标是最大限度地提高股东价值,包括潜在的战略和/或传统股权或债务融资、美国和亚洲的许可机会以及并购机会。”。

本季度的业务亮点如下:

高功率段业务亮点:

更高功率(300W–7.5kW)的设计从6月份的60个增长了25%,达到75个以上(生产中的超过30个),在微型逆变器和计算等领域具有吸引力。

Transphorm GaN开发了多个1.5–7.5kW范围的钛额定电源得到了人工智能计算和数据中心电源的验证,实现了从电源游戏显卡到数据中心电源单元(PSU)的更高效率和更高功率密度,并为底层GaN拓扑结构提供了基础专利。

Transphorm采用专利方法,并与Yaskawa Electric合作,实现了证明高达5μs短路耐受时间(SCWT)的行业里程碑,证明了该公司有能力满足伺服电机、工业电机、以及传统上由IGBT或碳化硅(SiC)MOSFET提供服务的电动汽车动力传动系——GaN的总可触达市场(TAM)超过30亿美元。

Transphorm正在亚洲领先的2轮和3轮电动公司开发多个300W–2kW充电器平台,其中包括印度的一家前三大市场领导者公司。

该公司展示了一种600W电池充电解决方案,其中GaN FET与硅超结相比实现了超过1%的效率增益(14%的损耗减少),同时在较小的GaN器件中与硅器件相比将功率器件数量减少了25%——比硅器件更便宜,性能更高。

通过1200V FET的进步,GaN在汽车电动汽车市场的地位得到了加强:一个模拟原型已经发布,并受到了OEM、Tier1和ODM的兴趣。

低功率段业务亮点

电源适配器和快速充电器(<300W)的总设计成本从6月份的90多个增长到100多个(生产中有30多个),增长了10%。

多种笔记本充电器设计,现在正在为排名前五的几家OEM发货,以及一些ODM。

该公司的SiP策略正在收获,该策略在65W和100W适配器设计中使用相同的Transphorm FET,具有多功能性,这是与竞争的E-Mode GaN不可能实现的。

Transphorm获得了一项基于系统封装(SiP)的设计胜利,预计从2024年下半年开始,该设计将在供应多样化消费电源配件产品的领先OEM中每年增加到数百万台。

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